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摘要：本发明提供一种热丝CVD制备硅基异质结太阳电池掺杂纳米晶硅薄膜的方法，在硅片衬底的本征氢化非晶硅膜上，先使用热丝CVD制备阻挡层；再在阻挡层上，使用热丝CVD制备掺杂纳米晶硅薄膜；加入的阻挡层能够保护本征氢化非晶硅膜，可有效降低直接在本征氢化非晶硅膜上沉积掺杂纳米晶硅薄膜引起的钝化性能下降，且本发明提供的制备方法制得的硅基异质结太阳电池，比不加阻挡层直接在本征氢化非晶硅膜上沉积掺杂纳米晶硅薄膜制得的太阳电池的光电转换效率最大提升1.2％abs。
主权项：1.一种热丝CVD制备硅基异质结太阳电池掺杂纳米晶硅薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：在硅片衬底预先沉积本征氢化非晶硅膜；在所述本征氢化非晶硅膜上，使用热丝CVD制备阻挡层；在所述阻挡层上，使用热丝CVD制备纳米晶硅薄膜，制得所述掺杂纳米晶硅薄膜；所述掺杂纳米晶硅薄膜包括至少一层的掺杂单层纳米晶硅薄膜；所述掺杂单层纳米晶硅薄膜的掺杂类型包括n型掺杂单层纳米晶硅薄膜、p型掺杂单层纳米晶硅薄膜中任意一种。
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百度查询： 南昌大学共青城光氢储技术研究院 一种热丝CVD制备硅基异质结太阳电池掺杂纳米晶硅薄膜的方法
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