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摘要：本发明涉及太阳电池结构技术领域，具体是涉及一种空间用多结太阳电池及其制备方法。该空间用多结太阳电池包括背面电极、Si衬底、键合金属层、ODR反射层、子电池结构与隧穿结、欧姆接触层、减反射膜、正面电极；其中，ODR反射层自上而下依次为介质膜、欧姆接触合金层、Au层。本发明通过从制备工艺上进行优化，经过两次外延层翻转，实现在多结太阳电池结构中添加ODR反射层，大幅度提升光的反射吸收，从而提升太阳电池的整体反射效率，同时通过减薄各个子电池外延层的厚度，从而提升太阳电池的空间抗辐射性能。
主权项：1.一种空间用多结太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.在GaAs衬底上生长多结太阳电池的外延片，依次包括腐蚀截止层、子电池结构与隧穿结、欧姆接触层；S2.在外延片表面使用PECVD技术依次沉积氮化硅牺牲层与二氧化硅层；S3.利用临时键合技术，将外延片与蓝宝石临时衬底键合在一起，然后去除GaAs衬底和腐蚀截止层，进行外延片的第一次翻转；S4.在外延片上制作ODR反射层；S5.利用金属键合技术，将外延片与Si衬底键合在一起，并且去除蓝宝石临时衬底，实现外延片的第二次翻转；S6.在翻转后的外延片上进行芯片工艺制作。
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百度查询： 南昌凯迅光电股份有限公司 一种空间用多结太阳电池及其制备方法
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