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摘要：本发明涉及一种基于自适应阈值方法的强磁芯片检测方法，包括利用历史检测数据，基于不同条件下的芯片样本、样本间相似性关系和各样本的磁性特征，得到磁性特征分布快照，计算磁性特征分布；基于磁性特征分布快照，建立预测未来磁性特征分布的主任务，得到分布的预测结果；基于变化的磁性特征分布，建立未来磁性特征分布变化的辅助任务，得到未来磁性特征分布变化的预测结果；将所述主任务和辅助任务的预测结果结合当前条件的磁性特征分布，输入神经网络得到最终的磁性特征分布及对应的强磁芯片初步检测结果；计算多任务复合损失函数得到强磁芯片检测结果。本发明可以提高检测的准确性和效率，并提升芯片质量控制和生产效率。
主权项：1.一种基于自适应阈值方法的强磁芯片检测方法，其特征在于，包括如下步骤：利用历史检测数据，基于不同条件下的芯片样本、样本间相似性关系和各样本的磁性特征，得到不同条件下的磁性特征分布快照，并计算变化的磁性特征分布；基于磁性特征分布快照，建立预测未来磁性特征分布的主任务，得到未来磁性特征分布的预测结果；基于变化的磁性特征分布，建立预测不同条件下未来磁性特征分布变化的辅助任务，得到未来磁性特征分布变化的预测结果；将所述主任务和辅助任务的预测结果结合当前条件的磁性特征分布，输入神经网络进行多任务信息聚合，得到最终的磁性特征分布及对应的强磁芯片初步检测结果；计算多任务复合损失函数，通过复合损失函数辅助学习训练网络，得到训练后的强磁芯片检测模型及强磁芯片检测结果。
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百度查询： 杭州得明电子有限公司 基于自适应阈值方法的强磁芯片检测方法
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