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摘要：本发明涉及能应用于集成电路中磁存储芯片与磁传感芯片的核心器件磁隧道结的固定层及其制造方法。通常磁隧道结使用CoPt交替多层薄膜结构作为磁隧道结的固定层，但这种CoPt交替多层薄膜结构要求基底结构具有与其匹配的结晶。为了制备匹配的基底，传统的磁隧道结的固定层通常离基板比自由层更近，而双固定层结磁隧道结需要在自由层上方制备固定层。本发明利用MgO薄膜两端夹住铁磁性薄膜结构体会产生很大的磁各项异性，进行固定层的结构与工艺的设计。提案了具有较大的矫顽力且对自由层产生较小的交换耦合的、可用于磁隧道结自由层上方的固定层的结构及其制造工艺。
主权项：1.一种用于磁存储芯片与磁传感芯片的磁隧道结，其特征结构在于：所述器件从离基板由近到远的顺序由充当自由层的铁磁性薄膜结构体，充当隧穿层的氧化镁薄膜，以及充当固定层的铁磁性薄膜结构体构成；且所述固定层铁磁性薄膜结构体从离基板由近到远由氧化物耦合层、铁磁性薄膜结构体、氧化物耦合层所构成的铁磁性固定层结构体，以及氧化物耦合层、铁磁性薄膜结构体、反平行耦合层、铁磁性薄膜结构体、氧化物耦合层所构成的反平行耦合铁磁性固定层结构体，两种结构体含有至少一种且任一种结构体含有至少一个结构体组合而成。
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百度查询： 北京理工大学长三角研究院(嘉兴) 北京理工大学 磁隧道结固定层、磁存储芯片与磁传感芯片、及其制造方法
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