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摘要：一种存储结构及其写入和读取方法、存储器，所述存储结构包括：第一MOS管、放大单元和efuse存储单元。所述放大单元包括：一个或多个双极性晶体管。当所述放大单元包括一个双极性晶体管时，所述双极性晶体管的基极连接所述第一MOS管的第一端，所述双极性晶体管的发射极连接所述efuse存储单元的第一端，所述第一MOS管的第一端为所述第一MOS管的源极和漏极中的一个。当所述放大单元包括多个双极性晶体管时，第一个双极性晶体管的基极连接所述第一MOS管的第一端，后一个双极性晶体管的基极连接前一个双极性晶体管的发射极，最后一个双极性晶体管的发射极连接所述efuse存储单元的第一端。
主权项：1.一种存储结构，其特征在于，包括：第一MOS管、放大单元和efuse存储单元；所述放大单元包括：一个或多个双极性晶体管；当所述放大单元包括一个双极性晶体管时，所述双极性晶体管的基极连接所述第一MOS管的第一端，所述双极性晶体管的发射极连接所述efuse存储单元的第一端，所述第一MOS管的第一端为所述第一MOS管的源极和漏极中的一个；当所述放大单元包括多个双极性晶体管时，第一个双极性晶体管的基极连接所述第一MOS管的第一端，后一个双极性晶体管的基极连接前一个双极性晶体管的发射极，最后一个双极性晶体管的发射极连接所述efuse存储单元的第一端。
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百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 存储结构及其写入和读取方法、存储器
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