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摘要:本申请的实施例涉及多电平非易失性存储器设备及其读取方法。多电平非易失性存储器单元具有N个电平,N是偶数并且大于2,N个电平分别对应于N个逻辑数据和N个对应的读取电流范围,N个逻辑数据能够被存储在存储器单元中。存储在存储器单元中的基准通过执行由存储器单元输出的读取电流与使用二分算法从N‑1个参考电流的集合中从具有中值的参考电流开始选择的参考电流的逐次比较而被读取,N‑1个参考电流具有分别位于两个不同的相继范围之间的值。
主权项:1.一种用于管理多电平非易失性存储器单元的操作的方法,所述多电平非易失性存储器单元具有N个电平,N是偶数并且大于2,所述N个电平分别对应于N个逻辑数据和N个对应的读取电流范围,所述N个逻辑数据能够被存储在所述多电平非易失性存储器单元中,所述方法包括:通过以下来读取被存储在所述多电平非易失性存储器单元中的基准:执行由所述多电平非易失性存储器单元输出的读取电流与使用二分算法从N-1个参考电流的集合中从具有中值的所述参考电流开始选择的参考电流的逐次比较,所述N-1个参考电流具有分别位于两个不同的相继范围之间的值。
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百度查询: 意法半导体国际公司 多电平非易失性存储器设备及其读取方法
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