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摘要：本发明属于激光器技术领域，公开了GNPs+GaAs可饱和吸收体的制备方法、激光器及使用方法。该激光器包括激光二极管1、带有隔离功能的波分复用器2、偏振控制器3、耦合器4、掺铒光纤5、无源光纤6以及GNPs+GaAs可饱和吸收体7，所述偏振控制器、所述掺铒光纤、所述无源光纤和所述可饱和吸收体依次连接形成环形谐振腔；所述激光二极管产生的光信号通过所述带有隔离功能的波分复用器耦合到环形谐振腔中，再由所述耦合器将所述环形谐振腔内稳定的脉冲激光输出。本发明利用GNPs的表面等离子共振SPR效应显著增强GaAs与光的相互作用，进而促进超短脉冲的产生。通过调节偏振控制器与泵浦功率，可以实现飞秒级别的脉冲激光输出。
主权项：1.GNPs+GaAs可饱和吸收体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1制作拉锥光纤，控制拉锥区域的最细直径在15μm±2μm；S2将所述拉锥光纤放入磁控溅射仪中，先镀GNPs膜，再镀GaAs膜，每层膜的厚度约为20nm。
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百度查询： 内蒙古大学 GNPs+GaAs可饱和吸收体的制备方法、激光器及使用方法
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