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摘要:本发明公开了一种半导体处理用退火炉装置,涉及退火炉装置技术领域,包括炉体,所述炉体上设置有通风组件,所述通风组件包括进气槽、进气通道、第一喷气槽、第二喷气槽和抽吸槽,所述第二喷气槽设置为多个,所述进气槽开设在炉体的外壁上,且进气槽用于输送冷却气体,所述进气通道开设在炉体的壁体内部,所述进气通道呈圆弧状,且与进气槽连通,所述进气通道的宽度朝远离进气槽的方向逐渐变大,所述第一喷气槽开设在炉体的内壁上。该半导体处理用退火炉装置,通过在炉体上设置通风组件,包括第一喷气槽、第二喷气槽和抽吸槽等结构,确保冷却气体能更快速均匀地带走炉内热量,从而实现半导体材料快速降温的目的。
主权项:1.一种半导体处理用退火炉装置,包括炉体(1),其特征在于:所述炉体(1)上设置有通风组件,所述通风组件包括进气槽(2)、进气通道(3)、第一喷气槽(4)、第二喷气槽(5)和抽吸槽(9),所述第二喷气槽(5)设置为多个,所述进气槽(2)开设在炉体(1)的外壁上,且进气槽(2)用于输送冷却气体,所述进气通道(3)开设在炉体(1)的壁体内部,所述进气通道(3)呈圆弧状,且与进气槽(2)连通,所述进气通道(3)的宽度朝远离进气槽(2)的方向逐渐变大,所述第一喷气槽(4)开设在炉体(1)的内壁上,所述第一喷气槽(4)连通在进气通道(3)的中段,所述抽吸槽(9)开设在炉体(1)的内壁上,所述抽吸槽(9)与第一喷气槽(4)关于炉体(1)的轴心对称分布,所述第二喷气槽(5)开设在炉体(1)的内壁上,所述第二喷气槽(5)倾斜分布,且与进气通道(3)连通,多个第二喷气槽(5)均匀分布在第一喷气槽(4)的两侧,所述第二喷气槽(5)的内径朝远离进气通道(3)的方向逐渐变小,所述炉体(1)上设置有与进气槽(2)、抽吸槽(9)配合的风力组件和连通组件。
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