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摘要：本发明公开了一种基于反激拓扑同步整流MOS管开通判别方法，适用于开关电源技术领域，现有的同步整流技术判断次级开关管导通的判别条件是检测次级整流MOS管两端漏源电压，而实际应用中，由于内部寄生电容和寄生电感等储能元件造成的振铃现象，可能会使漏源电压低于设定阈值而造成同发整流误开启。本发明通过次级整流MOS管漏源电压和输出电压的大小关系，结合判断该漏源电压是否到达阈值综合判断是否开始次级同步整流MOS管，可以有效的避免由于振铃现象而导致次级整流MOS管误导通的问题，提高反激电路的可靠性，保证系统稳定。
主权项：1.一种基于反激拓扑同步整流MOS管开通判别方法，其特征在于，它包括以下步骤：步骤1：首先采集反激电路的开关频率，计算出开关周期，通过周期以及占空比计算出初级MOS管的导通时间ton；步骤2：获取输出电压Vo，输入电压Vin，获取次级整流MOS管的漏极与源极之间的电压VDS，设置比较器检测并记录VDS与输出电压Vo的大小关系；步骤3：在电路运行状态下，每个开关周期中，当检测到初级MOS管导通时，开始记录在初级MOS管的导通的ton时间内，VDS等于Vo的次数M，以及相等的时间点；步骤4：当检测到次级整流MOS管的漏源电压VDS低于设定阈值Vt时，判断在此时之前的tth时间内，VDS等于Vo的次数N，若N＝1时，此时控制同步整流MOS管开通；若N≥2时，说明此时系统处于由储能元件的作用下产生的振铃现象中，此时不允许开关管开通；通过比较漏源电压VDS到达设定阈值Vt时的前tth时间内，VDS与Vo两者的大小关系变化频率，得知目前电路的状态，如果VDS与Vo两者的大小关系频繁变换，则说明电路此时处于振铃状态，此时开通整流MOS管属于误导通；若在只有一次由VDSVo变为VDSVo时，说明此时是初级MOS管正常关闭，且此时漏源电压VDS到达设定阈值Vt，可以正常开通整流MOS管。
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百度查询： 西北机电工程研究所 一种基于反激拓扑同步整流MOS管开通判别方法
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