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摘要：本发明公开了一种二维接触Bi2O2Se半导体薄膜晶体管及其制造方法。该晶体管从下至上，依次包括：衬底、Bi2O2Se薄膜、源电极、漏电极、栅介电层和栅电极，其中源电极、漏电极和栅电极均采用Bi2O2Se薄膜。本发明利用较厚Bi2O2Se的高费米能级简并特性和较薄Bi2O2Se的半导体特性成功构筑了具有优异性能的全二维接触Bi2O2Se薄膜场效应晶体管，与使用常规金属做接触电极的Bi2O2Se场效应晶体管相比，可以显著降低接触电阻，实现更小的关态电流和更高的电流开关比。
主权项：1.一种二维接触Bi2O2Se半导体薄膜晶体管，其特征在于，从下至上，依次包括：衬底、Bi2O2Se薄膜、源电极、漏电极、栅介电层和栅电极。
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百度查询： 南京理工大学 一种二维接触Bi2O2Se半导体薄膜晶体管及其制造方法
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