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摘要：本发明属于半导体薄膜与器件技术领域，记载了一种全磁控溅射制备晶圆级Bi2O2SeHfO2薄膜晶体管的方法。具体步骤为：在蓝宝石衬底上用磁控溅射技术沉积一层Bi2O2Se薄膜，用紫外光刻和反应离子刻蚀相结合的技术制备Bi2O2Se沟道阵列，用磁控溅射技术制备HfO2介电层，采用紫外光刻和磁控溅射相结合的技术制备电极。采用这种方法可以大面积制备性能优良的器件，与传统的制备工艺相比，利用磁控溅射制备的晶圆级Bi2O2SeHfO2薄膜晶体管各层薄膜间的匹配性好，性能优异且阈值电压为正。
主权项：1.一种全磁控溅射制备晶圆级Bi2O2SeHfO2薄膜晶体管的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：以Bi2O2Se靶材作为靶材，在清洗干净的衬底上进行磁控溅射，制备Bi2O2Se薄膜；步骤2：在步骤1制备的Bi2O2Se薄膜上使用紫外光刻技术定义沟道图案，使用Ar离子刻蚀或反应离子刻蚀去除多余薄膜，形成Bi2O2Se沟道阵列；步骤3：采用磁控溅射技术在Bi2O2Se沟道阵列上沉积Ni薄膜作为源电极和漏电极；步骤4：采用磁控溅射技术制备HfO2薄膜作为栅介电层；步骤5：采用磁控溅射技术在栅介电层上沉积Ni薄膜作为栅电极。
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百度查询： 南京理工大学 一种全磁控溅射制备晶圆级Bi2O2Se/HfO2薄膜晶体管的方法
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