龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：本发明涉及半导体晶体材料制备技术领域，尤其涉及一种基于化学气相传输法制备Bi2O2Se晶体的方法，包括称量Bi2O3粉末和Se粉末置于石英管的底部混合；对石英管内部进行抽真空并密封；将密封后的石英管放入双温区管式炉中，使混合粉末进行反应生长晶体。上述方法可以在7天内制得大量大面积的Bi2O2Se晶体，Se在700～800℃会蒸发成Se蒸汽从而参与Bi2O3的输运，Se本身也会和Bi2O3发生反应生成Bi2O2Se，即Se粉既是反应物质又是输运剂，因此仅需一次封管就可以实现晶体的生长和输运，能够节约时间，降低封管成本和物料成本。
主权项：1.基于化学气相传输法制备Bi2O2Se晶体的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、称量Bi2O3粉末和Se粉末置于石英管的底部混合，得到混合粉末；S2、将石英柱放入所述石英管中，使所述石英柱卡在所述石英管的缩径处；将所述石英管固定到真空封管机上，并将所述石英管的底部浸没在冷却剂中，使所述混合粉末保持冷却状态；S3、对所述石英管内部进行抽真空处理，对所述石英柱放置位置的所述石英管的管壁加热，将所述管壁加热至熔融状态后冷却，完成所述石英管的密封；S4、将密封后的所述石英管放入双温区管式炉中，使所述石英管的底部位于所述双温区管式炉的高温区，使所述混合粉末进行反应；使所述石英管的顶部位于所述双温区管式炉的低温区以生长晶体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 基于化学气相传输法制备Bi2O2Se晶体的方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号