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摘要：本发明旨在降低脑深部刺激手术中套管电极圆柱表面与脑组织之间的穿刺摩擦力，并减小套管电极对脑组织的穿刺损伤程度，结合仿生微织构对摩擦表面的减摩思想，提出了一种直线型交错阵列仿生微织构脑深部刺激套管电极，在套管电极圆柱表面上加工一系列直线型阵列沟槽仿生微织构，直线型阵列沟槽在套管电极圆柱表面的圆周方向上等距分布24列，仿生微织构区域总长59.5mm，其两端的直线型沟槽头部对齐，与穿刺端面的距离为0.5mm，相邻列直线型沟槽交错分布，可相互协助支撑脑组织在圆柱表面的包裹作用；以上所有直线型沟槽的宽度均为18µm，深度均为10µm，本发明可降低套管电极圆柱表面与脑组织之间的穿刺摩擦力，减小套管电极对脑组织的穿刺损伤程度。
主权项：1.一种直线型交错阵列仿生微织构脑深部刺激套管电极，其特征在于，套管电极的圆柱外表面上具有仿生微织构，所述仿生微织构为直线型沟槽，沿套管电极的长度方向设置；直线型沟槽具有若干段，位于同一直线上的直线型沟槽为一列，位于同一列上的直线型沟槽的各段之间具有轴向间距；直线沟槽以列为单位沿套管电极的外圆柱面圆周阵列分布；直线型沟槽具有两类，每一类由沿套管电极的外圆柱面圆周阵列分布的若干列组成，两类直线型沟槽交错的沿套管电极的外圆柱面圆周阵列分布，使得位于同一圆周方向的位置上，其中一列直线型沟槽的段与段之间的断开处，为其相邻两列直线沟槽的连续槽；直线型沟槽在套管电极圆柱表面的圆周方向上等距分布。
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百度查询： 烟台大学 一种直线型交错阵列仿生微织构脑深部刺激套管电极
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