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摘要:本发明公开一种多孔性氮掺杂碳原位电极的制备方法,包括以下步骤:S1.制备PDACC前驱体;S2.制备CoPDACC前驱体;S3.CoPDACC前驱体的表面修饰;S4.制备P‑NC原位电极;本发明利用多巴胺PDA提供N杂质源,掺入后续逐渐形成的碳材料骨架中,同时利用其分解产生的氮、氢等元素在碳骨架上造孔并辅助还原生成的金属钴以及电活性单体进入孔中,在防止多孔碳结构塌陷的基础上,提高电极的电催化性能。
主权项:1.一种多孔性氮掺杂碳原位电极的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、制备PDACC前驱体:配置pH范围为8-9的Tris溶液,在其中溶入盐酸多巴胺,将碳布完全浸入并悬挂在混合液中静置,在碳布表面附着PDA,制得PDACC材料;S2、制备CoPDACC前驱体:将PDACC浸泡在乙酸钴水溶液中0.5-1h,以附着钴盐,制得CoPDACC材料;S3.CoPDACC前驱体的表面修饰:S301.将S2制得的CoPDACC材料重新浸入步骤S1所述混合液中静置,在CoPDACC材料表面附着PDA;S302.将经过S301处理的CoPDACC材料与电活性单体分散到甲醇中,加入交联剂和引发剂,搅拌1-2h,制得表面修饰后的CoPDACC材料;S4.制备P-NC原位电极:利用管式炉在氩气气氛下以10℃min升温速率升温到350℃处理表面修饰后的CoPDACC材料,保温1h,再以5℃min升温速率升温到850℃,保温2h,酸洗,制得P-NC原位电极;所述电活性单体选自苯胺、吡咯、噻吩中的一种或多种。
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