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摘要：使用导电柱技术、而非穿孔技术的无源结构包括具有第一重分布层RDL的基板以及该基板上的三维3D集成无源器件。无源结构包括基板上的多个柱，其中每个柱比3D集成无源器件高。无源结构进一步包括在基板上围绕3D集成无源器件和柱的模塑件。此外，无源结构包括通过柱耦合到第一RDL的多个外部互连。
主权项：1.一种电子器件，包括：基板，所述基板包括第一重分布层，其中所述基板包括低损耗基板；形成在所述基板的表面上的三维集成无源器件；所述基板上的多个柱，所述多个柱中的每一个柱比所述三维集成无源器件高；模塑件，所述模塑件在所述基板上并围绕所述三维集成无源器件和所述多个柱；以及多个外部互连，所述多个外部互连通过所述多个柱来耦合到所述第一重分布层，所述三维集成无源器件经由所述第一重分布层和所述多个柱来耦合到所述多个外部互连。
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百度查询： 高通股份有限公司 使用导电柱技术的三维高质量无源结构
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