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摘要：本发明的课题在于抑制装置外的中子剂量率。离子注入装置100具备装置主体58及至少局部包围装置主体58的框体60。装置主体58包括沿着传输离子束的射束线BL配置的多个单元12、14、16、18及配置在射束线BL的最下游的基板传送处理单元20，并且具有由于高能量的离子束的碰撞而可能产生中子射线的中子射线产生源。离子注入装置100还具备中子射线散射部件，该中子射线散射部件配置在从中子射线产生源到框体60的距离成为规定以下的方向上从中子射线产生源射出的中子射线可能射入的位置。
主权项：1.一种离子注入装置，其特征在于，具备：装置主体，包括沿着传输离子束的射束线配置的多个单元及配置在所述射束线的最下游的基板传送处理单元，并且具有由于高能量的离子束的碰撞而可能产生中子射线的中子射线产生源；框体，至少局部包围所述装置主体；及中子射线散射部件，配置在从所述中子射线产生源到所述框体的距离成为规定以下的方向上从所述中子射线产生源射出的中子射线可能射入的位置。
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百度查询： 住友重机械离子科技株式会社 离子注入装置
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