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摘要：本发明公开了一种毫米波开关芯片，SiC衬底的上表面形成有AlN缓冲层，所述AlN缓冲层的上表面形成有第一GaN层，通过背栅槽使得部分第一GaN层的下表面露出，所述第一GaN层的下表面的裸露部分形成有背栅；所述第一GaN层上表面的左侧形成有源极欧姆接触层，所述第一GaN层上表面的右侧形成有漏极欧姆接触层，所述源极欧姆接触层与所述漏极欧姆接触层之间的第一GaN层的上表面从下到上形成有第一AlGaN层、第二GaN层以及第二AlGaN层，所述源极欧姆接触层的上表面形成有源极，所述漏极欧姆接触层的上表面形成有漏极，所述第二AlGaN层的上表面形成有顶栅。所述芯片具有开关频率速度高等优点。

主权项：1.一种毫米波开关芯片，其特征在于：包括SiC衬底（1），所述SiC衬底（1）的上表面形成有AlN缓冲层（2），所述AlN缓冲层（2）的上表面形成有第一GaN层（3），所述芯片的底部形成有背栅槽，通过背栅槽使得部分第一GaN层（3）的下表面露出，所述第一GaN层（3）的下表面的裸露部分形成有背栅（4）；所述第一GaN层（3）上表面的左侧形成有源极欧姆接触层（5），所述第一GaN层（3）上表面的右侧形成有漏极欧姆接触层（6），所述源极欧姆接触层（5）与所述漏极欧姆接触层（6）之间的第一GaN层（3）的上表面从下到上形成有第一AlGaN层（7）、第二GaN层（8）以及第二AlGaN层（9），所述源极欧姆接触层（5）的上表面形成有源极（10），所述漏极欧姆接触层（6）的上表面形成有漏极（11），所述第二AlGaN层（9）的上表面形成有顶栅（12）；所述源极欧姆接触层（5）、漏极欧姆接触层（6）以及第二AlGaN层（9）的上表面在同一水平面上；所述源极（10）的面积与所述源极欧姆接触层（5）的面积相同，所述漏极（11）的面积与所述漏极欧姆接触层（6）的面积相同，所述顶栅（12）的面积小于所述第二AlGaN层（9）的面积；所述背栅（4）不与SiC衬底（1）以及AlN缓冲层（2）接触；所述背栅（4）的厚度小于所述SiC衬底（1）与AlN缓冲层（2）厚度之和；所述SiC衬底（1）的厚度为25微米-50微米；所述AlN缓冲层（2）的厚度为10nm到50nm；所述第一和第二GaN层的厚度为10nm到50nm，第一和第二AlGaN层的厚度为15nm到100nm，其中Al组分为30%；源极欧姆接触层（5）和漏极欧姆接触层（6）的制作材料为Ti、Al、Ni和或Au；所述顶栅（12）和背栅（4）为肖特基接触电极，其制作材料为Ti、Pt和或Au；所述芯片在AlGaN层和GaN层之间由于能带的弯曲效应，将界面之间由于压电极化产生的电子限制在一个二维空间内，形成二维电子气，利用二维电子气的浓度来吸收毫米波；由于采用了两层二维电子气通道，当毫米波从上到下进行传输的时候，需要经过两层二维电子气的吸收，通过调节顶栅（12）和背栅（4）的电压，调控二维电子气中的电子气浓度；当二维电子气浓度高时，毫米波信号的能量被二维电子气所吸收，此时处于毫米波开关的关断状态；当二维电子气被顶栅（12）和背栅（4）耗尽时，此时毫米波信号可通过开关器件，为毫米波开关的开状态，此时可产生毫米波信号的插入损耗。

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