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摘要：本发明公开了一种玻璃钝化表贴二极管及其制造方法，属于二极管技术领域。该二极管包括管芯和两电极片，所述管芯位于两所述电极片之间，所述电极片通过蒸铝层与管芯连接，所述管芯、两电极片和蒸铝层均封装在钝化玻璃内，且所述电极片上远离管芯的一端沿管芯的径向延伸到钝化玻璃外。二极管的引出电极为钼片，钼片厚度为0.1mm～0.2mm，引出电极尺寸更小。二极管的引出电极沿管芯的径向延伸，管芯尺寸增大时，只需增大钼片的焊盘尺寸即可，二级管的厚度不会增加，可以制造出外形尺寸小，厚度非常薄的表贴器件。将台面腐蚀后的二极管放入灌注模具中，再向灌注模具中注入玻璃粉浆的方式涂覆玻璃浆，可以根据需要制造不同的封装外形。

主权项：1.一种玻璃钝化表贴二极管的制造方法，其特征在于：所述玻璃钝化表贴二极管包括管芯（1）和两电极片（2），所述管芯（1）位于两所述电极片（2）之间，所述电极片（2）通过蒸铝层（3）与管芯（1）连接，所述管芯（1）、两电极片（2）和蒸铝层（3）均封装在钝化玻璃（4）内，且所述电极片（2）上远离管芯（1）的一端沿管芯（1）的径向延伸到钝化玻璃（4）外；所述玻璃钝化表贴二极管的制造方法，包括以下步骤：步骤一、单晶片：选择电阻率为0.003Ω·cm~500Ω·cm的N型单晶硅片；步骤二、磷硼扩散：对N型单晶硅片进行磷、硼扩散，形成P+NN+的芯片结构，扩散温度为1100~1280℃，扩散时间为5~50h，磷面结深为10~80μm，方块电阻≤3Ω□，硼面结深为10~80μm，方块电阻≤5Ω□；步骤三、喷砂：用压缩空气携带金刚砂去除硼扩散面形成的硼硅玻璃层；步骤四、蒸铝：在芯片的磷、硼扩散面蒸铝，形成蒸铝层（3），然后将其放入真空烧结炉中，使芯片和蒸铝层（3）熔焊键合，熔焊键合温度为450~550℃，恒温时间为5~20min；步骤五、裂片：采用超声切割的方式将芯片裂片成所需管芯（1）尺寸，使用体积比为HF：HNO3=1：5的溶液对裂片所得芯片进行腐蚀清洗，然后用去离子水冲洗，使用酒精脱水后烘干；步骤六、装模和烧结：将电极片（2）、管芯（1）、电极片（2）从下至上叠放在烧结模具中，将烧结模具送入真空烧结炉中熔焊键合，熔焊键合温度为660~700℃，恒温时间为2~5min，冷却至100℃以下取出二极管；步骤七、台面腐蚀：使用浓度为2~12%，温度为80~100℃的KOH溶液对熔焊键合后的二极管进行腐蚀2~25min，使用热去离子水冲洗腐蚀后的二极管，并将二极管置于热去离子水中煮沸5次，然后将二极管放入55~60℃的钝化液中1~10min；步骤八、包封玻璃粉：在玻璃粉中加入高纯石蜡，按玻璃粉：水=3g：1ml的配比调制玻璃粉浆，并在石蜡熔化状态下搅拌均匀，将二极管放入灌注模具中，向灌注模具中注入玻璃粉浆，刮除多余的玻璃粉浆，待玻璃粉浆降温凝固后脱模，然后将包封玻璃粉浆的二极管放入真空烧结炉中进行脱蜡；步骤九、高温成型：将包封玻璃粉浆的二极管放入高温成型炉中进行玻璃粉玻化，升温时间为45~65min，最高烧结温度660℃，保持2~15min；步骤十、整形：将钝化玻璃（4）外的电极片（2）整形为所需形状，即得玻璃钝化表贴二极管。

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