Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

发光二极管及其制备方法 

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

摘要:一种发光二极管及其制备方法,包括衬底(10)、第一导电型半导体层(20)、应力释放层(30)、发光层(40)、第二导电型半导体层(50),其中的应力释放层包括交替层叠的阱层(31)和垒层(32),至少一个阱层内部分布有至少一个阻挡区(311),阻挡区的能隙高于阱层的能隙。在阱层内部设置阻挡区,阻挡区可以阻挡阱层内的载流子横向扩展至位错区域发生非辐射复合,从而提高发光二极管的发光效率。

主权项:1.发光二极管,包括:电性相反的第一导电型半导体层和第二导电型半导体层;发光层,夹置于第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间;应力释放层,夹置于第一导电型半导体层和发光层之间,包括交替层叠的阱层和垒层;其特征在于:至少一个所述阱层内分布有至少一个阻挡区,所述阻挡区的能隙大于阱层的能隙。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 安徽三安光电有限公司 发光二极管及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。