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摘要：本公开提供了一种巨量转移方法及微型发光二极管，属于半导体制备技术领域。该巨量转移方法，包括：在电路基板的一面制备导电膜层；在导电膜层的背向电路基板的一面涂设光敏胶层，光敏胶层具有光敏自热膨胀特性；通过黄光制程，将光敏胶层图案化，以得到辅助转移薄膜，辅助转移薄膜具有多个容置孔；将辅助转移薄膜与待转移晶圆相对位放置，使得待转移晶圆的晶粒位于对应的容置孔内；通过激光照射辅助转移薄膜，使得辅助转移薄膜受热膨胀，以将晶粒夹持在对应的容置孔内；将辅助转移薄膜与待转移晶圆分离，使得晶粒被剥离，并保留在容置孔内。本公开能够提高巨量转移的良率和效率。
主权项：1.一种巨量转移方法，其特征在于，包括：在电路基板10的一面制备导电膜层20；在所述导电膜层20的背向所述电路基板10的一面涂设光敏胶层30，所述光敏胶层30具有光敏自热膨胀特性；通过黄光制程，将所述光敏胶层30图案化，以得到辅助转移薄膜40，所述辅助转移薄膜40具有多个容置孔410；将所述辅助转移薄膜40与待转移晶圆100相对位放置，使得所述待转移晶圆100的晶粒200位于对应的所述容置孔410内；通过激光照射所述辅助转移薄膜40，使得所述辅助转移薄膜40受热膨胀，以将所述晶粒200夹持在对应的所述容置孔410内；将所述辅助转移薄膜40与所述待转移晶圆100分离，使得所述晶粒200被剥离，并保留在所述容置孔410内。
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百度查询： 京东方华灿光电(浙江)有限公司 巨量转移方法及微型发光二极管
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