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摘要：本申请提供的一种快恢复二极管及其制备方法，涉及半导体器件领域。该快恢复二极管包括从上往下依次层叠设置的第一金属层、P型掺杂层、N型埋层、N型漂移层、N型场截止层和第二金属层，还包括从上往下贯穿P型掺杂层和N型埋层的沟槽，沟槽内填充有绝缘层和N型多晶硅。其中，P型掺杂层包括相连的P型重掺杂层和P型浅掺杂层。P型浅掺杂层设置氦注入层，N型漂移层设置氢注入层。有助于减小二极管的反向恢复峰值电流，加快反向恢复速度，进而降低反向恢复损耗，有助于增大二极管反向恢复软度，有助于避免N型埋层掺杂浓度较高导致的反向耐压降低，还有助于避免反向耐压时耗尽区扩展到氦注入层导致的漏电增加。
主权项：1.一种快恢复二极管，其特征在于，包括从上往下依次层叠设置的第一金属层61、P型掺杂层、N型埋层14、N型漂移层13、N型场截止层11和第二金属层62；其中，所述P型掺杂层包括相连的P型重掺杂层22和P型浅掺杂层21，所述P型重掺杂层22与所述第一金属层61相接，所述P型浅掺杂层21和所述N型埋层14相接；所述P型重掺杂层22、所述P型浅掺杂层21和所述N型埋层14的掺杂浓度均由上往下递减。
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