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摘要：一种宽频带压控有源电感，包括低噪声跨导单元1，双支路跨导单元2，第一可调偏置单元3，第二可调偏置单元4，可调补偿单元5共5个单元。低噪声跨导单元1与双支路跨导单元2连接构成感性反馈回路，并取得低的噪声；第一可调偏置单元3和第二可调偏置单元4共同为反馈回路提供偏置电流，同时与可调补偿单元5的两个可调电压源一起，实现对有源电感性能的调控。通过所述5个单元及其4个调控端Vtune1、Vtune2、Vtune3、Vtune4的分工合作，使有源电感在高频区的同一频率下高Q峰值和电感峰值、宽频带且频带可相对于电感峰值独立调节、低噪声等多种性能集于一体。

主权项：1.一种宽频带压控有源电感，其特征在于，包括：低噪声跨导单元1，双支路跨导单元2，第一可调偏置单元3，第二可调偏置单元4，可调补偿单元5；其中：所述宽频带压控有源电感中的低噪声跨导单元1包括第二N型MOS晶体管M2、第十二N型MOS晶体管M12、无源电阻R1；双支路跨导单元2包括第一P型MOS晶体管M1、第三N型MOS晶体管M3、第四N型MOS晶体管M4；第一可调偏置单元3包括第五P型MOS晶体管M5、第六P型MOS晶体管M6；第二可调偏置单元4包括第七N型MOS晶体管M7；可调补偿单元5包括第八P型MOS晶体管M8、第九N型MOS晶体管M9、第十N型MOS晶体管M10、第十一N型MOS晶体管M11；其中：所述宽频带压控有源电感的输入端Zin同时连接第二N型MOS晶体管M2的源极、第十二N型MOS晶体管M12的栅极、第三N型MOS晶体管M3的漏极、第九N型MOS晶体管M9的源极和第十N型MOS晶体管M10的漏极；第二N型MOS晶体管M2的漏极同时连接第一P型MOS晶体管M1的栅极和第六P型MOS晶体管M6的漏极，第二N型MOS晶体管M2的栅极同时与第十二N型MOS晶体管M12的漏极和无源电阻R1的第一端连接；第一P型MOS晶体管M1的漏极同时连接第三N型MOS晶体管M3的源极、第四N型MOS晶体管M4的栅极和第七N型MOS晶体管M7的漏极；第四N型MOS晶体管M4的漏极同时连接第三N型MOS晶体管M3的栅极和第五P型MOS晶体管M5的漏极；第八P型MOS晶体管M8的漏极同时连接第九N型MOS晶体管M9的漏极和第十一N型MOS晶体管M11的栅极；第十N型MOS晶体管M10的源极与第十一N型MOS晶体管M11的漏极相连；第一可调电压源Vtune1同时连接第五P型MOS晶体管M5的栅极和第六P型MOS晶体管M6的栅极，第二可调电压源Vtune2连接第七N型MOS晶体管M7的栅极，第三可调电压源Vtune3连接第八P型MOS晶体管M8的栅极，第四可调电压源Vtune4连接第九N型MOS晶体管M9的栅极，控制电压Vb连接第十N型MOS晶体管M10的栅极；电源VDD同时连接第五P型MOS晶体管M5的源极、第六P型MOS晶体管M6的源极、第一P型MOS晶体管M1的源极、第八P型MOS晶体管M8的源极和无源电阻R1的第二端；第四N型MOS晶体管M4的源极、第七N型MOS晶体管M7的源极、第十一N型MOS晶体管M11的源极和第十二N型MOS晶体管M12的源极，均与地端连接。

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