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摘要：本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够在防止氮化硅的劣化的同时对氧化硅进行蚀刻。所述蚀刻方法包括以下工序：工序a，准备具有由氧化硅形成的第一区域和由氮化硅形成的第二区域的基板；工序b，使所述基板暴露在包含碳氟化合物气体的第一处理气体的等离子体中，对所述第一区域进行蚀刻，并在所述第一区域和所述第二区域上形成包含碳氟化合物的沉积物；工序c，通过所述沉积物中包含的碳氟化合物的自由基来对所述第一区域和所述第二区域进行蚀刻；以及工序d，通过不包含氧的第二处理气体的等离子体来去除所述沉积物。
主权项：1.一种蚀刻方法，包括以下工序：工序a，在等离子体处理装置的腔室内准备具有由氧化硅形成的第一区域和由氮化硅形成的第二区域的基板，所述等离子体处理装置具有在所述腔室内载置所述基板的第一电极以及与所述第一电极相向的第二电极；工序b，使所述基板暴露在包含碳氟化合物气体的第一处理气体的等离子体中，对所述第一区域进行蚀刻，并在所述第一区域和所述第二区域上形成包含碳氟化合物的沉积物；工序c，通过所述沉积物中包含的碳氟化合物的自由基来对所述第一区域和所述第二区域进行蚀刻；以及工序d，通过不包含氧的第二处理气体的等离子体来去除所述沉积物，其中，在所述工序d中，向所述第二电极施加高频电力，不向所述第一电极施加高频电力，其中，所述第一处理气体与所述第二处理气体不同。
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百度查询： 东京毅力科创株式会社 蚀刻方法和等离子体处理装置
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