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摘要：本申请公开一种选择性外延生长方法、掩膜图案尺寸补偿方法及形成掩膜图案的方法，属于半导体加工技术领域。所公开的选择性外延生长方法包括输送第一气体至工艺腔室内，以使第一气体吸附于基底的表面，基底上形成有沟槽，第一气体在基底的顶面、沟槽的底面和侧壁上均形成第一分子层；利用第一等离子体轰击顶面和底面，以清除顶面和底面上的第一分子层；输送第三气体至工艺腔室内，以使第三气体吸附于顶面、底面和侧壁，以在顶面、底面和侧壁上均形成第二分子层，且剩余的第一分子层和第二分子层反应，以在侧壁上生成目标膜层；利用第二等离子体轰击顶面和底面，以清除顶面和底面上的第二分子层。
主权项：1.一种选择性外延生长方法，其特征在于，包括：输送第一气体至工艺腔室内，以使所述第一气体吸附于基底100的表面，所述基底100上形成有沟槽，所述第一气体在所述基底100的顶面130、所述沟槽的底面110和侧壁120上均形成第一分子层210；利用第一等离子体310轰击所述顶面130和所述底面110，以清除所述顶面130和所述底面110上的所述第一分子层210；输送第三气体至所述工艺腔室内，以使所述第三气体吸附于所述顶面130、所述底面110和所述侧壁120，以在所述顶面130、所述底面110和所述侧壁120上均形成第二分子层220，且剩余的所述第一分子层210和所述第二分子层220反应，以在所述侧壁120上生成目标膜层200；利用第二等离子体320轰击所述顶面130和所述底面110，以清除所述顶面130和所述底面110上的所述第二分子层220。
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百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 外延生长方法、尺寸补偿方法及形成掩膜图案的方法
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