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摘要：本发明提供一种SONOS存储器选择管侧墙自对准刻蚀的工艺方法，包括：步骤1提供一半导体结构，包括半导体衬底及存储管结构；步骤2于存储管结构的侧壁形成侧墙，并于半导体衬底的表面形成栅氧化层；步骤3于通过步骤2形成的半导体结构的表面沉积多晶硅层及第一硬掩模层；步骤4采用自对准刻蚀工艺刻蚀第一硬掩模层及多晶硅层直至靠近侧部第一硬掩模层的多晶硅层与侧部第一硬掩模层之间形成凹槽；步骤5于通过步骤4形成的半导体结构的表面形成第二硬掩模层；步骤6采用自对准刻蚀工艺刻蚀第二硬掩模层及多晶硅层以形成选择管结构。通过本发明形成表面平整的选择管结构，解决了现有的存储管与选择管之间的间隔较大的问题。
主权项：1.一种SONOS存储器选择管侧墙自对准刻蚀的工艺方法，其特征在于，所述方法包括：步骤1提供一半导体结构，其分为间隔分布的存储区及位于各所述存储区之间区域的选择区，所述半导体结构包括半导体衬底，形成于所述存储区的半导体衬底表面且间隔设置的存储管结构，其中，同一所述存储区的各所述存储管结构之间的间隔区域为间隔区；步骤2于所述存储管结构的侧壁形成侧墙，并于所述间隔区及所述选择区的半导体衬底的表面形成栅氧化层；步骤3于通过步骤2形成的半导体结构的表面沉积多晶硅层及第一硬掩模层，其中，所述多晶硅层填满所述间隔区，且于所述存储管结构靠近所述选择区的一侧形成有侧壁，所述第一硬掩模层包括覆盖所述多晶硅层上表面的顶部第一硬掩模层及覆盖所述多晶硅层侧壁的侧部第一硬掩模层；步骤4采用自对准刻蚀工艺刻蚀所述第一硬掩模层及所述多晶硅层直至靠近所述侧部第一硬掩模层的所述多晶硅层与所述侧部第一硬掩模层之间形成预设深度的凹槽；步骤5于通过步骤4形成的半导体结构的表面形成第二硬掩模层，其中，所述第二硬掩模层填满所述凹槽；步骤6采用自对准刻蚀工艺刻蚀所述第二硬掩模层及所述多晶硅层以去除所述存储管结构表面的所述多晶硅层，并于所述侧墙的外侧形成侧壁垂直且表面平整的选择管结构。
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百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 SONOS存储器选择管侧墙自对准刻蚀的工艺方法
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