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摘要：本发明提供等离子体处理装置，其包括：等离子体处理腔室；设置在所述等离子体处理腔室中的基片支承部，其用于载置基片；气体供给部，其用于向所述等离子体处理腔室供给处理气体；RF电源，其用于向所述等离子体处理腔室和或所述基片支承部供给被脉冲化了的RF电功率，生成所述处理气体的等离子体；和控制装置，其用于控制被脉冲化了的所述RF电功率的供给，所述控制装置能够控制所述RF电源以使得：被脉冲化了的所述RF电功率的从供给开始时间点到峰出现时间点的电功率水平的增加函数成为向下凸的函数，并且或者，被脉冲化了的所述RF电功率的从峰结束时间点到供给结束时间点的电功率水平的减少函数成为向下凸的函数。
主权项：1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：等离子体处理腔室；设置在所述等离子体处理腔室中的基片支承部，其用于载置基片；气体供给部，其用于向所述等离子体处理腔室供给处理气体；RF电源，其用于向所述等离子体处理腔室和或所述基片支承部供给被脉冲化了的RF电功率，生成所述处理气体的等离子体；和控制装置，其用于控制被脉冲化了的所述RF电功率的供给，所述控制装置能够控制所述RF电源以使得：被脉冲化了的所述RF电功率的从供给开始时间点到峰出现时间点的电功率水平的增加函数成为向下凸的函数，并且或者，被脉冲化了的所述RF电功率的从峰结束时间点到供给结束时间点的电功率水平的减少函数成为向下凸的函数。
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百度查询： 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置、电源系统和等离子体处理方法
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