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摘要：本发明涉及使用暴露于金属烷基、杂原子硅环化合物和水的序列，在非金属基板上固有选择性沉积混合氧化物，而不伴随在金属基板上生长介电膜。所得到的膜表现出比相应的金属氧化物高得多的生长速率和对非金属表面固有的选择性。厚达15nm的薄膜可以在介电基板如热氧化物和氮化硅上生长，而在金属薄膜如铜上没有观察到任何生长，也不需要使用抑制剂。这种电介质‑对‑电介质DoD的生长是许多未来半导体器件提出的制造方案如完全自对准过孔的关键要素。
主权项：1.一种在图案化基板上形成混合氧化物介电膜的方法，所述方法包括：a将具有金属和非金属区域的图案化基板引入沉积室的反应区，并将反应区加热至约175℃至约350℃；b将所述图案化基板暴露于金属烷基化合物的脉冲中；c吹扫沉积室；d将所述图案化基板暴露于杂原子硅环化合物的脉冲中；e吹扫沉积室；f将所述图案化基板暴露在水的脉冲中；g吹扫沉积室；和h重复步骤b至g，直至达到所需的混合氧化物介电膜厚度。
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百度查询： 盖列斯特有限公司 混合氧化物介电膜的固有区域选择性沉积
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