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摘要：本发明公开了一种复合材料包壳管晶粒定向生长控制方法、复合材料包壳管及制备方法，包壳管包括纤维、界面层与SiC基体，SiC基体采用化学气相渗透CVI工艺制备得到；在采用化学气相渗透CVI工艺制备SiC基体的过程中，控制靠近界面层的SiC基体内定向生长形成取向单一的柱状晶SiC晶粒；定向生长控制方法为：以三氯甲基硅烷为先驱气体，在带界面层的包壳管预制件中沉积SiC基体时沉积多个炉段，从第一个炉段至最后一个炉段按照次序依次提高每个炉段的沉积气氛中三氯甲基硅烷的含量。本发明实现了靠近界面处的SiC基体晶粒的定向生长，得到了具有单一取向的柱状晶SiC晶粒，提高了整个复合材料包壳的力学性能。
主权项：1.一种复合材料包壳管晶粒定向生长控制方法，其特征在于，所述包壳管包括纤维、界面层与SiC基体，所述SiC基体采用化学气相渗透CVI工艺制备得到；在采用化学气相渗透CVI工艺制备SiC基体的过程中，控制靠近界面层的SiC基体内定向生长形成取向单一的柱状晶SiC晶粒；定向生长控制方法为：以三氯甲基硅烷为先驱气体，在带界面层的包壳管预制件中沉积SiC基体时沉积多个炉段，从第一个炉段至最后一个炉段按照次序依次提高每个炉段的沉积气氛中三氯甲基硅烷的含量。
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百度查询： 中国核动力研究设计院 一种复合材料包壳管晶粒定向生长控制方法、复合材料包壳管及制备方法
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