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一种多层铁钴镍复合永磁薄膜及其制造方法 

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摘要:本发明涉及一种多层铁钴镍复合永磁薄膜及其制备方法。该薄膜通过在基底材料上依次沉积镍层、铁钴镍合金层和镍覆盖层,采用原子层沉积(ALD)技术精确控制各层厚度,尤其在铁钴镍合金层中引入稀土元素镧,形成晶界扩散层。沉积及退火过程中施加外部磁场,提升薄膜的磁各向异性、矫顽力和饱和磁化强度。该方法制备的薄膜具有优异的磁性能,适用于高频磁性元件和磁性存储器的应用。

主权项:1.一种多层铁钴镍复合永磁薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下技术步骤:选择基底材料;使用磁控溅射技术在基底材料上沉积一层Ni层;继续采用ALD技术,在Ni层上分步沉积Fe、Co、Ni以及稀土元素原子层,形成复合稀土元素的FeCoNi合金层;最后使用磁控溅射技术在FeCoNi合金层上沉积一层Ni层;将沉积完成的薄膜在Ar2气氛中进行退火处理,温度控制在400℃至500℃之间,退火时间为1至2小时;在FeCoNi合金层的沉积过程中且退火过程中,施加一个外部磁场,强度控制在100mT至300mT之间。

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