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摘要：本发明涉及一种晶圆处理方法及晶圆处理装置。所述晶圆处理方法包括如下步骤：放置晶圆至处理腔室内；于所述处理腔室内向所述晶圆的表面涂布光刻胶；于所述处理腔室内向所述晶圆的边缘喷射溶胶剂，去除所述晶圆的边缘处的所述光刻胶。本发明减少甚至是避免了在晶圆的边缘出现光刻胶粘连拉丝现象，且提高了半导体制造效率，简化了半导体制造工艺。
主权项：1.一种晶圆处理方法，其特征在于，包括如下步骤：放置晶圆至处理腔室内；于所述处理腔室内向所述晶圆的表面涂布光刻胶；于所述处理腔室内向所述晶圆的边缘喷射溶胶剂，去除所述晶圆的边缘处的所述光刻胶。
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百度查询： 上海积塔半导体有限公司 晶圆处理方法及晶圆处理装置
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