买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

摘要：本发明涉及一种纳米尺度可见光发光二极管及其制备方法，制备方法包括：在衬底上生长III族氮化物半导体外延层；在III族氮化物半导体外延层上沉积第一刻蚀掩模层；在第一刻蚀掩模层上制备具有周期性排列图案的胶层；在第一刻蚀掩模层上形成图案化的第二刻蚀掩模层；刻蚀第一刻蚀掩模层形成图案化的第一刻蚀掩模层；刻蚀III族氮化物半导体外延层形成图形化的III族氮化物半导体纳米柱阵列模板；在III族氮化物半导体纳米柱阵列模板上生长LED结构，得到纳米尺度可见光发光二极管。该方法使在纳米柱阵列模板上生长的有源区受到的强压应变得到部分弛豫，增加了含In量子限制层中In的并入，实现长波长发光；同时提高辐射复合效率，增加了发光强度。

主权项：1.一种纳米尺度可见光发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：S1、在衬底上生长III族氮化物半导体外延层；S2、在所述III族氮化物半导体外延层上沉积第一刻蚀掩模层；S3、在所述第一刻蚀掩模层上制备具有周期性排列图案的胶层；S4、在所述胶层上和所述周期性排列图案中沉积掩模材料，并剥离所述胶层表面的掩模材料，在所述第一刻蚀掩模层上形成图案化的第二刻蚀掩模层；S5、干法刻蚀所述第一刻蚀掩模层，直至露出图案化的第二刻蚀掩模层未覆盖区域的所述III族氮化物半导体外延层的表面，使得第二刻蚀掩模层的图案转移到第一刻蚀掩模层，并去除所述图案化的第二刻蚀掩模层，形成图案化的第一刻蚀掩模层；S6、干法刻蚀图案化的第一刻蚀掩模层未覆盖的所述III族氮化物半导体外延层，使得所述图案化的第一刻蚀掩模层的图案转移至所述III族氮化物半导体外延层，并去除所述图案化的第一刻蚀掩模层，形成III族氮化物半导体电流扩展层和图形化的III族氮化物半导体纳米柱阵列模板；S7、在所述III族氮化物半导体纳米柱阵列模板上从下至上依次生长第一掺杂类型的III族氮化物半导体层、有源区和第二掺杂类型的III族氮化物半导体层，得到纳米尺度可见光发光二极管，其中，所述有源区包括量子限制层，所述量子限制层的材料包括含In的III族氮化物半导体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学广州研究院 西安电子科技大学 一种纳米尺度可见光发光二极管及其制备方法