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摘要:本申请公开了一种基于量子点发光二极管的突触仿生电子器件及其制备方法,该器件包括基底、空穴传输层、量子点层、电子传输层、金属阴极,空穴传输层、量子点层及电子传输层通过旋涂的方式由下至上依次沉积在基底上方,金属阴极按照预定图案沉积在电子传输层上方,图案化分布的金属阴极与电子传输层的部分区域接触,电子传输层材料的深能级缺陷与量子点的价带相匹配,本申请技术方案中所制备器件在施加正向偏压后,量子点向电子传输层的空穴转移过程减少,电子和空穴在量子点层中的辐射复合过程增加,器件发光强度随加载时间显著增加,停止加载后,器件发光强度的增加能够维持一段时间,表现出突触可塑性,能够提供类似突触的光输出功能。
主权项:1.一种基于量子点发光二极管的突触仿生电子器件,包括:基底1、空穴传输层3、量子点层4、电子传输层5和金属阴极6;所述空穴传输层3、所述量子点层4及所述电子传输层5通过旋涂的方式由下至上依次设置在基底1的上方,所述金属阴极6按照预定图案沉积在电子传输层5上方,所述金属阴极6至少设置在电子传输层5的部分表面上;所述量子点层4采用量子点材料,量子点的材料选自II-VIA族量子点的至少一种,且其外部包覆一层或多层核壳结构的衍生结构;所述电子传输层5采用氧化锌纳米颗粒或掺杂氧化锌纳米颗粒,所述电子传输层5的缺陷态能级与量子点的价带能级位置接近或者重合。
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百度查询: 北京理工大学 基于量子点发光二极管的突触仿生电子器件及其制备方法
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