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摘要：本公开涉及将硅片在外延基座上对中的方法、系统及设备。在一方面中，提出了一种将硅片在外延基座上对中的方法，其包括：根据由第一硅片在外延基座上经过外延生长而获得的外延片的四个等分区各自的多个ERO结果的和值，确定第一硅片相对于外延基座的偏移数据，其中，四个等分区对应于第一硅片的在被移置到外延基座上时与外延腔室的前、后、左、右四个等分区域对应的四个等分区；以及基于偏移数据，调整待生长外延的第二硅片在外延基座上的位置。由此，能够提高生产效率并提高偏移位置调整的准确性。
主权项：1.一种将硅片在外延基座上对中的方法，其特征在于，包括：根据由第一硅片在所述外延基座上经过外延生长而获得的外延片的四个等分区各自的多个ERO结果的和值，确定所述第一硅片相对于所述外延基座的偏移数据，其中，所述四个等分区对应于所述第一硅片的在被移置到所述外延基座上时与所述外延腔室的前、后、左、右四个等分区域对应的四个等分区；以及基于所述偏移数据，调整待生长外延的第二硅片在所述外延基座上的位置。
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百度查询： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 将硅片在外延基座上对中的方法、系统及设备
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