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摘要：一种等离激元增强局域雪崩的紫外光电探测器及制备方法，属于半导体探测器件领域。采用化学气相传输法同质外延法在N+型宽禁带半导体衬底上依次生长N型缓冲层和i型吸收层，再通过化学气相沉积的方式生长P型层；利用光刻和ICP刻蚀的方式在PiN结构的宽禁带半导体外延片上刻蚀倾斜台面；利用光刻和ICP刻蚀的方式刻蚀微孔结构；利用热氧化和化学气相沉积的方式生长二氧化硅钝化层以及开窗；利用光刻和磁控溅射的方式制作P电极和N电极；利用PS微球溶液在器件表面制备PS掩模板,沉积金属膜，剥离PS掩模板后获得表面金属纳米颗粒阵列。表面金属颗粒激发等离激元场增强，更好的实现紫外光电器件的局域雪崩，并降低雪崩电压。

主权项：1.一种等离激元增强局域雪崩的紫外光电探测器的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）采用化学气相传输法同质外延法在N+型宽禁带半导体衬底上依次生长N型缓冲层和i型吸收层，再通过化学气相沉积的方式生长P型层；2）利用光刻和ICP刻蚀的方式在PiN结构的宽禁带半导体外延片上刻蚀倾斜台面；3）利用光刻和ICP刻蚀的方式刻蚀微孔结构；所述微孔的开孔方式是从P型层往i型吸收层方向开孔，使得P型层刻穿直到i型吸收层，微孔的大小与间距根据表面等离激元的激发效果设置；4）利用热氧化和化学气相沉积技术在器件表面生长二氧化硅钝化层，利用光刻和ICP刻蚀技术开窗；所述二氧化硅钝化层的生长具体步骤为：刻蚀微孔之后生长钝化层，器件表面、微孔底部和侧壁处均存在二氧化硅，作用是减少漏电以及对光的反射，首先要通过干氧、湿氧、干氧交替氧化的方式长一层二氧化硅作为牺牲层；取出第一次氧化好的样品，放入缓冲氢氟酸溶液进行腐蚀，去除第一次氧化形成的氧化层，用去离子水冲洗干净；将片子放入氧化炉，再次通过干氧、湿氧、干氧交替氧化的方式长一层致密二氧化硅层；PECVD生长SiO2；PECVD生长Si3N4；所述开窗的具体步骤为：阻挡层即为上述用PECVD生长的SiO2和Si3N4，通过甩胶、前烘、用掩膜板曝光、显影形成开窗图形，再坚膜使得光刻胶变硬，最后通过ICP刻蚀形成窗口；5）利用光刻和磁控溅射的方式制作P电极和N电极，具体步骤为：用掩膜板在光敏面区光刻P型电极区，并用缓冲氢氟酸溶液腐蚀掉电极处的氧化层，利用磁控溅射TiAlTiAu多层金属作为P型电极；N型欧姆接触是在衬底背面形成的，具体步骤为：首先用光刻胶将器件正面保护好，然后用缓冲氢氟酸溶液腐蚀掉衬底背面自然氧化层，然后磁控溅射NiAu作为N型电极；最后两种电极在高温下通过退火形成良好的欧姆接触；6）利用PS微球溶液在表面制备PS掩模板,在PS掩模板上沉积金属膜，剥离PS掩模板后获得表面金属纳米颗粒阵列，具体步骤为：首先在器件表面通过PS微球悬浮液制备出PS掩模板，再通过电子束蒸发技术在掩模板表面蒸发一层金属膜，然后利用四氢呋喃溶液剥离掉PS掩模板，得到表面金属纳米颗粒阵列；所述PS微球的直径为100～1000nm；所述金属纳米颗粒的形状为球形、圆盘形或三角柱形，以更好的与尺寸相配合；所述金属纳米颗粒的材料选择Al、Ag或Au；所述金属纳米颗粒阵列均匀分布在器件表面、微孔底部以及微孔侧壁，以更好地诱导半导体中的场增强，当紫外光通过不同的角度入射到器件表面，在横向和纵向均获得光子能量，从而最大化激发表面等离激元场增强。

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