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摘要：本发明公开了一种雪崩光电探测器的制备方法，首先在p型InP衬底上依次生长p型InP缓冲层、In0.53Ga0.47As吸收层、In1‑x‑yAlxGayAs带宽渐变层、p型In0.52Al0.48As电荷控制层、In0.52Al0.48As倍增层、InxGa1‑xAsyP1‑y腐蚀截止层和p型InP盖层；之后腐蚀p型InP盖层，被腐蚀的区域包括一中央区域和环绕该中央区域的一个或多个环形区域；之后在被腐蚀区域二次外延n型InP，形成n型InP中央集电区以及n型InP电场保护环；然后淀积SiO2层，并刻蚀掉部分区域的SiO2形成一圈环形的SiO2隔离层；之后淀积光学减反膜并在中央集电区上方的光学减反膜上开出一个金属接触窗口；然后构建上电极，上电极通过金属接触窗口与中央集电区接触；最后在InP衬底背面制备背电极。

主权项：1.一种雪崩光电探测器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一：在p型InP衬底上依次生长p型InP缓冲层、In0.53Ga0.47As吸收层、In1-x-yAlxGayAs带宽渐变层、p型In0.52Al0.48As电荷控制层、In0.52Al0.48As倍增层、InxGa1-xAsyP1-y腐蚀截止层和p型InP盖层；步骤二：利用SiO2图形化硬掩模，利用腐蚀的方法，腐蚀p型InP盖层，被腐蚀的区域包括一中央区域和环绕该中央区域的一个或多个环形区域，腐蚀停止在InxGa1-xAsyP1-y腐蚀截止层的上表面；步骤三：利用SiO2硬掩模在步骤二所述的被腐蚀区域进行二次外延生成n型InP，包括在步骤二所述中央区域形成n型InP中央集电区以及在步骤二所述环形区域形成环绕中央集电区的n型InP电场保护环，二次外延之后，利用腐蚀的方法，腐蚀掉SiO2硬掩模，得到平坦的表面形貌；步骤四：在步骤三得到的p型InP盖层、n型InP中央集电区和n型InP电场保护环平坦的表面之上淀积SiO2层，然后利用光刻胶图形化掩模刻蚀掉部分区域的SiO2，使得在最外围的n型InP电场保护环外围的p型InP盖层区域之上形成一圈环形的SiO2隔离层；步骤五：在p型InP盖层、n型InP中央集电区和n型InP电场保护环、SiO2隔离层的表面上淀积光学减反膜，利用腐蚀的方法在n型InP中央集电区上方的光学减反膜上开出金属接触窗口；步骤六：利用光刻胶形成上电极金属和金属打线板图形，蒸镀金属并进行金属剥离，得到图形化的上电极和金属打线板，上电极通过步骤五中所述的金属接触窗口与n型InP中央集电区接触，并退火形成欧姆接触；金属打线板位于SiO2隔离层的正上方；所述上电极上具有一光学入射窗口，光学入射窗口在n型InP中央集电区的上方；步骤七：将p型InP衬底背面减薄、抛光后，在其下表面制备背电极，并退火形成欧姆接触。

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