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摘要:本发明公开了一种高电阻率烧结钕铁硼磁体,按以下方法制得:钕铁硼磁体基体表面溅射高电阻率辅合金扩散源,然后进行晶界扩散,冷却后回火处理,制得所述高电阻率烧结钕铁硼磁体;高电阻率辅合金扩散源的成分为:Pr1‑x‑y‑zAlxCuyInGaz;其中,x=0.05~0.1,y=0.10~0.15,z=0.10~0.15。本发明采用高电阻率辅合金磁控溅射后晶界扩散的方法,提高Pr含量,利用Pr元素极亲氧的特性,形成在晶界连续分布的高电阻率的富镨氧化物相,使得磁体电阻率较处理前提高50%以上,而且不会导致磁体性能下降,反而有效提升了磁体的内禀特性,显著提高了高温性能,具有极大的应用价值。
主权项:1.一种高电阻率烧结钕铁硼磁体,其特征在于所述高电阻率烧结钕铁硼磁体按以下方法制得:钕铁硼磁体基体表面溅射高电阻率辅合金扩散源,然后进行晶界扩散,冷却后回火处理,制得所述高电阻率烧结钕铁硼磁体;所述高电阻率辅合金扩散源的成分为:Pr1-x-y-zAlxCuyInGaz;其中,x=0.05~0.1,y=0.10~0.15,z=0.10~0.15。
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