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摘要：本发明涉及一种用于闸流体的突波抑制电路。闸流体连接于第一交流电压端子及第二交流电压端子之间。突波抑制电路包括一金属氧化物半导体场效应晶体管、一电阻器、一齐纳二极管以及一电容结构。金属氧化物半导体场效应晶体管电性连接于闸流体的基极及第二交流电压端子之间。电阻器电性连接于金属氧化物半导体场效应晶体管的闸极及第二交流电压端子之间。齐纳二极管电性连接于金属氧化物半导体场效应晶体管的该闸极及第二交流电压端子之间。电容结构位于金属氧化物半导体场效应晶体管的闸极及一基板端子之间。
主权项：1.一种用于一闸流体的突波抑制电路，该闸流体连接于一第一交流电压端子及一第二交流电压端子之间，且包括一第一双极性接面型晶体管bipolarjunctiontransistor,BJT及一第二双极性接面型晶体管，该突波抑制电路包括：一金属氧化物半导体场效应晶体管MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor；MOSFET，电性连接于该第二双极性接面型晶体管的一基极及该第二交流电压端子之间；一电阻器，电性连接于该金属氧化物半导体场效应晶体管的一闸极及该第二交流电压端子之间；一齐纳二极管，电性连接于该金属氧化物半导体场效应晶体管的该闸极及该第二交流电压端子之间；以及一电容结构，位于该金属氧化物半导体场效应晶体管的该闸极及一基板端子之间。
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百度查询： 台亚半导体股份有限公司 用于闸流体的突波抑制电路
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