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摘要：一种用于低腐蚀坑密度6英寸半绝缘砷化镓晶片的方法和体系可包括一种半绝缘砷化镓单晶晶片，所述晶片的直径为6英寸或更大，不含意图用于降低位错密度的掺杂剂，腐蚀坑密度小于1000cm‑2，电阻率为1x107Ω‑cm或更大。晶片在940nm波长下的光吸收可为小于5cm‑1、小于4cm‑1或小于3cm‑1。晶片可具有3000cm2V‑sec或更高的载流子迁移率。晶片的厚度可为500μm或更大。可在晶片的第一表面上形成电子器件。晶片可具有1.1x107cm‑3或更小的载流子浓度。
主权项：1.一种半绝缘砷化镓单晶晶片，其直径为6英寸或更大，不含除碳以外意图用于降低位错密度的掺杂剂，腐蚀坑密度小于1000cm-2，电阻率为1x107Ω-cm或更大；其中半绝缘砷化镓晶体通过如下方法制备，其包括：在坩埚中密封包括多晶砷化镓、砷化镓籽晶、B2O3密封剂和碳的装料材料；将坩埚密封在石英安瓿中；通过使用多区加热体系加热安瓿以逐步熔融装料材料直至部分籽晶熔融，从而进行垂直梯度凝固晶体生长过程；从部分熔融的种子开始通过以0.1至2摄氏度小时的速率对多区加热体系实施受控冷却而启动生长；在熔体-晶体界面处施加0.2至5摄氏度cm的温度梯度；和维持多区加热体系中熔体-晶体界面以上的温度梯度与熔体-晶体界面以下的温度梯度之比为1.0至4.0，以形成固化的砷化镓晶体。
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百度查询： AXT公司 北京通美晶体技术股份有限公司 低腐蚀坑密度6英寸半绝缘砷化镓晶片
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