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摘要：高封装功率密度的GaNHEMT器件，涉及半导体技术领域。包括外延片、第一隔离层、第二隔离层和第三隔离层。GaNHEMT器件上形成n个有源区，每个有源区相互隔离，控制每个有源区内栅宽为1mm，通过器件内互联金属将每个有源区的G、D、S电极都与器件的G、D、S电极Pad互联，通过该方案可以在不影响器件栅控能力、不引入额外寄生电感和寄生电阻的情况下，达到提升单个器件通流能力，提高器件大尺寸封装功率密度的优点。
主权项：1.高封装功率密度的GaNHEMT器件，其特征在于，包括：外延片；第一隔离层（11），沉积在外延片的P-GaN层（8）和AlGaN势垒层（7）上；有源区（10）内设有从所述第一隔离层（11）的顶面向下延伸至AlGaN势垒层（7）内部的S电极（14）和D电极（15）；所示有源区（10）外设有与S电极（14）和D电极（15）互联的D、S电极pad金属（19、18）；第二隔离层（20），沉积在所述第一隔离层（11）、S电极（14）和D电极（15）的顶面；所述有源区（10）内设有G电极（22），其从所述第二隔离层（20）的顶面向下延伸至P-GaN层（8）顶面；所述有源区（10）外设有与G电极（22）互联的G电极pad金属（24）；第三隔离层（25），沉积在所述第二隔离层（20）顶面。
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百度查询： 扬州扬杰电子科技股份有限公司 高封装功率密度的GaN HEMT器件
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