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摘要：本发明公开了一种SiC模块的叠装结构及其制造工艺，该模块通过四个SiCMOSFET芯片构成一个全桥电路拓扑。本发明采用叠装结构，将四个SiCMOSFET芯片分成两组，构成上下两层，即电路的上桥臂和下桥臂，上下两层芯片中间通过焊球进行连接，上下两层芯片分别焊接在上下两块衬板，在上层引出直流母线端子接外部直流电源正极，在下层引出直流母线端子接外部直流电源负极，在焊球连接处引出两个交流输出端子，叠层结构减小换流路径获得低寄生电感；叠装结构的上下两个衬板均连接到散热器上，构成双面散热结构，此外通过铜柱将上下两个衬板进行连接，获得低热阻，解决模块的热可靠性问题。
主权项：1.一种SiC模块的叠装结构，通过四个SiCMOSFET芯片构成一个全桥电路拓扑，其特征在于，所述四个SiCMOSFET芯片分成两组，分别构成第一层组件71和第二层组件72，叠装结构自上而下包括第一散热器11、第一导热硅脂层21、第一衬板、第一互连层61、第一层组件71、第三互连层8、第二层组件72、第二互连层62、第二衬板、第二导热硅脂层22、第二散热器12；所述第一衬板包括三层，从上到下依次为第一金属层31、第一绝缘层41、第一布线层51；所述第二衬板包括三层，从上到下依次为第二布线层52、第二绝缘层42、第二金属层32；第一层组件71的上表面通过第一互连层61贴装在第一布线层51，第二层组件72的下表面通过第二互连层62贴装在第二布线层52；第一层组件71的下表面与第二层组件72的上表面连接到第三互连层8对应位置。
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百度查询： 黄山学院 一种SiC模块的叠装结构及其制造工艺
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