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摘要：本发明提供了一种锑化镓单晶生长方法，包括如下过程：将设计量的多晶锑化镓原料和第一掺杂剂置于生长容器中进行熔融，得到熔体，并对熔体采用提拉法进行晶体生长；在晶体生长过程中，当生长容器中剩余熔体内自由载流子浓度超过设计的目标区间范围时，向熔体内掺入第二掺杂剂，以调控自由载流子浓度至设计目标区间；其中，所述第二掺杂剂与第一掺杂剂的导电类型相反。该发明通过在提拉法晶体生长不同阶段掺入不同类型的掺杂剂，以调节锑化镓材料内自由载流子浓度处于目标区间范围，使得提拉法锑化镓单晶晶锭所有生长长度范围的材料红外透过率都符合要求，从而可有效提高提拉法锑化镓单晶利用率。
主权项：1.一种锑化镓单晶生长方法，其特征在于，包括如下过程：将设计量的多晶锑化镓原料和第一掺杂剂置于生长容器中进行熔融，得到熔体，并对熔体采用提拉法进行晶体生长；在晶体生长过程中，当生长容器中剩余熔体内自由载流子浓度超过设计的目标区间范围时，向熔体内掺入第二掺杂剂，以调控自由载流子浓度至设计目标区间；其中，所述第二掺杂剂与第一掺杂剂的导电类型相反。
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百度查询： 武汉高芯科技有限公司 一种锑化镓单晶生长方法及锑化镓单晶生长装置
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