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摘要：本申请的各实施例涉及包括电容元件的集成电路和制造方法。集成电路的电容元件包括第一电极和第二电极。第一电极由位于掺杂有第一导电类型的半导体阱上方的第一导电层形成。第二电极由位于半导体阱的第一导电层上方的第二导电层形成。第二电极还由半导体阱内的表面区域形成，该表面区域高度掺杂有与第一导电类型相反的第二导电类型，其中表面区域位于第一导电层下方。电极间电介质区域将第一电极和第二电极电分离。
主权项：1.一种集成电路电容器，包括：掺杂有第一导电类型的半导体衬底；位于所述半导体衬底的上表面处的掺杂区域，所述掺杂区域掺杂有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；第一导电层，所述第一导电层位于所述半导体衬底的所述掺杂区域上方，并且与所述半导体衬底的所述掺杂区域绝缘；第二导电层，所述第二导电层位于所述第一导电层上方，并且与所述第一导电层绝缘；其中所述第一导电层形成所述集成电路电容器的第二电极；并且其中所述第二导电层和所述掺杂区域形成所述集成电路电容器的第二电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 意法半导体(鲁塞)公司 包括电容元件的集成电路和制造方法
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