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申请/专利权人：重庆文理学院
申请日：2024-10-23
公开（公告）日：2024-12-13
公开（公告）号：CN119119537A
专利技术分类：.薄膜或片材的制造[2006.01]
专利摘要：本发明涉及压电薄膜材料技术领域，尤其涉及一种PVDF基复合膜及其制备方法，该PVDF基复合膜包括氯代烷烃与聚偏二氟乙烯，所述氯代烷烃与所述聚偏二氟乙烯的质量比为1:1～3，其PVDF基复合膜的制备方法包括以下步骤：S1、分别配置氯代烷烃溶液与聚偏二氟乙烯溶液，并混匀得到混合液，备用；S2、将S1混合液置于基板上，干燥、退火与冷却得到PVDF基复合膜；本发明制备出的PVDF基复合膜无需经过传统的极化过程即可展现出高β晶相，从而直接具有优良的压电输出性能。
专利权项：1.一种PVDF基复合膜，其特征在于，所述复合膜的原料包括氯代烷烃与聚偏二氟乙烯，所述氯代烷烃与所述聚偏二氟乙烯的质量比为1:1～3。
百度查询： 重庆文理学院 一种PVDF基复合膜及其制备方法
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