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申请/专利权人：东南大学;无锡华润上华科技有限公司
申请日：2023-06-15
公开（公告）日：2024-12-17
公开（公告）号：CN119153488A
专利技术分类：..按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的[2006.01]
专利摘要：本发明涉及一种隔离结构，包括：结终端，包括多个结终端浮空场板；隔离环，与所述结终端连接；横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，包括源极区、漏极区、栅极、漂移区、场区绝缘层及LDMOS浮空场板，所述漂移区的至少部分区域位于所述源极区和漏极区之间，所述场区绝缘层位于所述漂移区上，所述栅极的一侧靠近所述源极区、另一侧靠近所述漏极区，所述LDMOS浮空场板的数量与所述结终端浮空场板相同，各所述LDMOS浮空场板与各所述结终端浮空场板一一对应电性连接；各所述LDMOS浮空场板包括靠近所述源极区设置的第一场板、靠近所述漏极区设置的第二场板及位于所述第一场板和第二场板之间的若干第三场板。本发明能够提升隔离结构中LDMOS的击穿电压。
专利权项：1.一种隔离结构，其特征在于，包括：结终端，包括多个结终端浮空场板；横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，包括LDMOS浮空场板，各所述LDMOS浮空场板与至少一所述结终端浮空场板电性连接，每个所述结终端浮空场板的长度大于与其电性连接的所述LDMOS浮空场板的长度。
百度查询： 东南大学 无锡华润上华科技有限公司 隔离结构及集成电路
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