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摘要：本发明属于刻蚀技术领域，公开了一种刻蚀方法，刻蚀装置包括反应腔体、晶圆载盘、流体供应件以及加热组件，其中晶圆载盘设置于反应腔体内，晶圆载盘内设置有循环流道，晶圆载盘设置有与循环流道连通的进液口与出液口；流体供应件连接进液口与出液口；加热组件连接于进液口与流体供应件之间，加热组件被配置为提升进入循环流道内的流体的温度；刻蚀方法利用上述刻蚀设备，在一个反应腔体内的同一个晶圆载盘上进行刻蚀，以低温流体进入到晶圆载盘，产生铵盐的副产物；随后通过加热组件使温度升高，铵盐副产物挥发，从而无需配备两个反应腔体，使铵盐副产物的产出与挥发均在一个反应腔体内完成，减少占地面积，提升效率。
主权项：1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括刻蚀装置，所述刻蚀装置包括反应腔体1、晶圆载盘2、流体供应件3以及加热组件4；所述晶圆载盘2设置于所述反应腔体1内，以承载晶圆；所述晶圆载盘2内设置有循环流道21，所述晶圆载盘2设置有与所述循环流道21连通的进液口与出液口；所述流体供应件3连接所述进液口与所述出液口，以能够循环流体；所述加热组件4连接于所述进液口与所述流体供应件3之间，所述加热组件4被配置为提升进入所述循环流道21内的所述流体的温度；所述刻蚀方法包括如下步骤：S1、使所述晶圆载盘2在第一温度下对所述晶圆进行刻蚀处理，使所述晶圆产生铵盐副产物；S2、使所述晶圆载盘2的温度由所述第一温度升至第二温度，以第一流量向所述循环流道21供液，所述加热组件4加热；当所述晶圆载盘2的温度达到所述第二温度的80%时进行PID控温至所述第二温度；S3、使所述晶圆载盘2在第二温度下对所述晶圆上的所述铵盐副产物进行挥发处理；S4、所述铵盐副产物挥发完成后，使所述晶圆载盘2的温度由所述第二温度回落至所述第一温度，以第二流量向所述循环流道21供液，所述加热组件4停止加热，所述第二流量大于所述第一流量。
权利要求：
百度查询： 上海邦芯半导体科技有限公司 刻蚀方法
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