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摘要：本申请提供了一种半导体器件制造方法及半导体器件。该半导体器件制造方法包括：提供衬底，衬底包括器件区域；于衬底的器件区域上形成未掺杂硅玻璃介质层；于未掺杂硅玻璃介质层上形成硼磷硅玻璃介质层，硼磷硅玻璃介质层中硼元素与磷元素的掺杂浓度比例范围包括0.8～1.2；于硼磷硅玻璃介质层上形成导电层，导电层、硼磷硅玻璃介质层及未掺杂硅玻璃介质层共同构成半导体器件。该半导体器件制造方法可以显著减少可移动的界面态电荷数量，降低半导体器件漏电流，避免半导体器件的阈值电压降低，从而保障半导体器件的电学性能和使用可靠性。
主权项：1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括器件区域；于所述衬底的所述器件区域上形成未掺杂硅玻璃介质层；于所述未掺杂硅玻璃介质层上形成硼磷硅玻璃介质层，所述硼磷硅玻璃介质层中硼元素与磷元素的掺杂浓度比例范围包括0.8～1.2；于所述硼磷硅玻璃介质层上形成导电层，所述导电层、所述硼磷硅玻璃介质层及所述未掺杂硅玻璃介质层共同构成半导体器件。
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 半导体器件制造方法及半导体器件
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