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申请/专利权人：联华电子股份有限公司
申请日：2023-06-21
公开（公告）日：2024-12-24
公开（公告）号：CN119183346A
专利技术分类：
专利摘要：本发明公开一种电阻式随机存取存储器及其制作方法，其中该电阻式随机存取存储器包含一下电极、一电阻转换层、一上电极和一上盖层由下至上堆叠，其中上盖层包含一上表面，一第一间隙壁接触下电极的一第一侧壁和电阻转换层的一第二侧壁以及一第二间隙壁接触第一间隙壁并且接触上电极的一第三侧壁，其中第一间隙壁的厚度大于第二间隙壁的厚度，第一间隙壁和第二间隙壁没有覆盖上表面。
专利权项：1.一种电阻式随机存取存储器，包含：下电极、电阻转换层、上电极和上盖层由下至上堆叠，其中该上盖层包含上表面和两个第四侧壁，其中该上表面的边缘连接各该第四侧壁；第一间隙壁，接触该下电极的第一侧壁和该电阻转换层的第二侧壁；以及第二间隙壁，接触该第一间隙壁并且接触该上电极的第三侧壁，其中该第一间隙壁的厚度大于该第二间隙壁的厚度；其中该第一间隙壁和该第二间隙壁没有覆盖该上表面。
百度查询： 联华电子股份有限公司 电阻式随机存取存储器及其制作方法
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