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申请/专利权人：中环领先半导体科技股份有限公司
申请日：2024-09-19
公开（公告）日：2024-12-20
公开（公告）号：CN119162659A
专利技术分类：..衬底夹持器或基座[2006.01]
专利摘要：本申请公开了一种外延用基座及外延设备，属于硅片制造技术领域，该外延用基座包括承载部和限位部；限位部包括第一本体和第一凸起，第一本体沿周向方向设置并与承载部连接，第一本体在轴向方向上具有第一基准面，第一凸起与第一基准面连接；其中，第一凸起在周向方向上具有相对的第一表面和第二表面，第一表面和第二表面与第一基准面连接，并能够自第一基准面朝远离第一本体的方向延伸；第一表面和第二表面之间在周向方向上的距离沿轴向方向减小。本申请通过设置第一凸起以在硅片生长速度较快处阻挡由基座外部沿径向方向吹向硅片的气流，从而使得硅片各处的生长速度更加趋于一致，进而使得硅片在外延后获得更好的平坦度。
专利权项：1.一种外延用基座，其特征在于，包括：承载部11，所述承载部11具有轴向方向Z和与所述轴向方向Z垂直的径向方向X，以及环绕所述轴向方向Z的周向方向Y，所述承载部11在所述径向方向X上具有边缘111；限位部12，所述限位部12包括第一本体121和第一凸起122，所述第一本体121沿所述周向方向Y设置并与所述边缘111连接，所述第一本体121在所述轴向方向Z上具有一第一基准面1211，所述第一凸起122与所述第一基准面1211连接；所述第一本体121和所述承载部11共同限定出用于放置硅片2的承载空间123，所述第一凸起122用于阻挡至少部分沿所述径向方向X吹向所述硅片2的气流3；其中，所述第一凸起122在所述周向方向Y上具有相对的第一表面1221和第二表面1222，所述第一表面1221和所述第二表面1222与所述第一基准面1211连接，并能够自所述第一基准面1211朝远离第一本体121的方向延伸；所述第一表面1221和所述第二表面1222之间在所述周向方向Y上的距离沿所述轴向方向Z减小。
百度查询： 中环领先半导体科技股份有限公司 外延用基座及外延设备
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