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申请/专利权人：东洋炭素株式会社
申请日：2014-02-25
公开（公告）日：2015-10-07
公开（公告）号：CN104969332A
专利技术分类：.....应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积[2006.01]
专利摘要：本发明的目的在于提供一种基座，该基座通过抑制因副气体与碳的接触导致的副气体的反应而能够抑制对半导体材料的品质产生不良影响。该基座具有：第1副气体流路10，其设置在用于将副气体导入内部的副气体导入口12和用于将上述副气体放出到外部的副气体放出口16之间，内壁由碳构成；条槽15，其在与晶片对置的面弯曲并延伸设置，设有上述副气体放出口16；和保护部件11，其在上述第1副气体流路10的至少一部分以覆盖副气体流路10的内壁的方式而设置，与副气体接触侧的表面由与上述苛性气体的反应性低的耐性材料构成。
专利权项：一种基座，其特征在于：该基座用于气相外延生长，在该气相外延生长中，导入用于形成半导体覆膜的主气体和用于使晶片上浮和转动的副气体，一边使载置在基座主体上的晶片转动，一边通过所述主气体在所述晶片上形成半导体覆膜，该基座在所述基座主体内设置使所述副气体流通的副气体流路，所述副气体含有与碳的反应性高的苛性气体，在所述副气体流路内壁的至少一部分具有与所述基座主体分别形成的、并由与所述苛性气体的反应性低的耐性材料构成的保护部件。
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