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申请/专利权人:阿卜杜拉国王科技大学;法赫德国王石油矿产大学
申请日:2017-09-18
公开(公告)日:2019-07-16
公开(公告)号:CN110023537A
专利技术分类:..在反应室中支承基体的方法[2006.01]
专利摘要:一种基座装置,其用于化学气相沉积CVD反应器,包括在半导体工业中使用的金属有机CVDMOCVD。特别地,所述基座装置与感应加热一起使用,并且包括适于承载一个或多个晶片的水平板和垂直杆,感应加热线圈围绕垂直杆设置。还可以使用螺钉系统和绝热体。该设计有助于防止不希望的悬浮并且允许反应器的气体注入器位于更靠近晶片的位置以在高温沉积过程中在约1500℃或更高的基座表面温度下进行沉积。
专利权项:1.一种用于化学气相沉积CVD反应器的基座装置,其包括:至少一个水平板,所述水平板适于承载至少一个晶片;至少一个垂直杆,所述垂直杆与所述水平板集成并垂直于所述水平板;其中,所述基座装置适于感应加热。
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